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三星96层V-NAND量产,是否逼近了堆叠的物理极限?

半导体行业观察  · 公众号  · 半导体  · 2018-07-13 09:00
近日,三星电子宣布,已经开始批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存,称其同时拥有超大容量和超高速度。据悉,三星第五代V-NAND采用96层堆叠设计,是目前行业最高纪录,内部集成了超过850亿个3D TLC CTF存储单元,每单元可保存3比特数据,单Die容量达256Gb(32GB)。这些单元以金字塔结构堆积,并在每一层之间贯穿极微小的垂直通道孔洞,仅有几百微米宽。三星称,它在业内首次使用了Toggle DDR 4.0接口,在存储与内存之间的数据传输率高达1.4Gbps,比上一代64层堆叠产品提升了40%,同时电压从1.8V降至1.2V,能效大大提高。此外,其数据写入延迟仅为500微秒,比上一代提升30%,而读取信号响应时间也大幅缩短到50微秒。三星表示,会率先打造单模256Gb容量的V-NAND,与目前大多数 ………………………………

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