深圳大学饶峰第2篇Science，西安交大今年第3篇Science正刊（材料领域），相变存储材料获得新进展！

第一作者：Keyuan Ding, Jiangjing Wang, Yuxing Zhou, He Tian通讯作者：Wei Zhang, Feng Rao, Evan Ma通讯单位：深圳大学、西安交通大学、约翰霍普金斯大学 当今世界，人工智能和大数据对数据的搜集、存储以及计算的需要越来越迫切，开发更有效的新型计算设备刻不容缓。基于相变随机存取存储器（PCRAM）的神经启发设备就是这样一种极具前景的新方向，可以将记忆单元中的存储与计算功能相统一，打破冯·诺伊曼屏障。 问题在于，目前的PCRAM器件具有相当大的噪声和电阻漂移，从而极大地削弱器件的精度和一致性。 有鉴于此，深圳大学饶峰、西安交通大学张伟以及约翰霍普金斯大学Evan Ma等人设计了一个相变异质结构（PCH），可以实现超低的噪音和电阻漂移。 这种相变异质结由交 ………………………………