【培训通知】SiC 功率器件研究，清华大学Prof.王燕主讲

芯动力人才计划®   第127期国际名家讲堂SiC 功率器件研究讲堂摘要SiC是第三代宽禁带半导体材料的代表，在击穿场强、电子饱和漂移速度，热导率等物理特性上更有优势，因此SiC 器件和功率模块较Si具有更优异的电气特性，也是能够超越摩尔定律的突破路径之一，被广泛应用于新能源领域（光伏、储能、充电桩、电动车等）。本期讲堂首先将全面、系统地介绍SiC 全产业链的国内外发展趋势，从SiC材料的性能，器件设计与制造，模型建立，模组开发以及封装等几个方面进行讲授。然后，深入讨论从器件元胞设计，模组设计到封装的模型、工具与方法学，并突出设计的挑战与其相应解决方案。01组织单位主办单位芯动力人才计划®项目办公室联办单位上海新微创源孵化器、上海芯聚辉支持单位国际半导体产业协会（SEMI China）、广东省集成电路行业协会 ………………………………