最新技术：射频芯片面积减少45%!

就在当前成熟制程有产能过剩疑虑，使得各家以成熟制程为主的晶圆代工厂，开始发展利基型产品，以突围出自己的一片天空之际，晶圆代工大厂联电宣布，推出业界首项RFSOI制程技术的3D IC解决方案，此55纳米 RFSOI 制程平台上所使用的硅堆叠技术，在不损耗射频（RF）效能下，可将芯片尺寸缩小45% 以上，使客户能够有效率地集成更多射带组件，以满足5G更大的带宽需求。联电指出，RFSOI是用于低噪声放大器、开关和天线调谐器等射频芯片的晶圆制程。随着新一代智能手机对频段数量需求的不断成长，联电的 RFSOI 3D IC 解决方案，利用晶圆对晶圆的键合技术，并解决了芯片堆叠时常见的射频干扰问题，将装置中传输和接收数据的关键组件，通过垂直堆栈芯片来减少面积，以解决在设备中为整合更多射频前端模块带来的挑战。该制程已获得多项国际专利 ………………………………