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第三代HBM2E显存标准公布,三星首发

半导体行业观察  · 公众号  · 半导体  · 2020-02-05 09:03
来源:内容来自「快科技」,谢谢。本周,固态存储协会(JEDEC)发布第三版HBM2存储标准JESD235C,将针脚带宽提高到3.2Gbps,前两版中依次是2Gbps、2.4Gbps,环比提升33%。按照设计规范,单Die最大2GB、单堆栈12 Die(无标准高度限制),也就是24GB容量,匹配1024bit位宽,单堆栈理论最大带宽410GB/s。对于支持四堆栈(4096bit)的图形芯片来说,总带宽高达1.64TB/s。第三代HBM2的电压和上一版一致,为1.2V,比第一代的1.35V有所下降。简单比较下,常见高端独显采用的256bit GDDR6,按照14Gbps的针脚带宽计算,总带宽448GB/s,也就是第三代HBM2一个堆栈的水平。考虑到HBM2更容易扩充总线宽度,GDDR6过犹不及,况且单堆栈最大容量就能达到24GB,四堆栈直逼100GB。图为HBM显存示意事实上,3.2Gbps的第三代HBM2 ………………………………

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