彭练矛院士以独立作者发表碳纳米管新作

新动态近日，北京大学彭练矛院士以独立作者在知名期刊ACS Nano发表前瞻性文章，题为“High-Performance Carbon Nanotube Thin-Film Transistor Technology”，指出半导体单壁碳纳米管（CNTs）具有理想的电子、化学和力学性能，是后摩尔时代构建晶体管的理想通道材料。基于碳纳米管（CNT）的平面互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管可以缩小到10纳米以下的技术节点，其表现出远远超过硅极限的优异性能。同时，CNT电子技术本质上是一种薄膜晶体管技术，能够在玻璃、聚合物等基板上构建面积达数米的芯片，为大面积柔性电子应用提供技术支撑。此外，由于CNT电子技术仅涉及低温工艺（低于400℃），因此可以实现逻辑和存储器件的单片3D集成，这可以大大提高芯片的综合性能，使特殊数据结构的性能提升千倍，尤其是在人工智能应用中。团队相关研究成果彭练矛院 ………………………………