2D-WSe₂上范德华外延生长NiSe纳米片作为接触电极来提高WSe₂晶体

内容简介二维过渡金属二硫化物（TMDs）（即TMX2，TM = Mo，W; X = S，Se）有着丰富且可控的电子、光电子和机械性质，具有在各种领域的应用的潜力，如应用为光电探测器、晶体管和发光二极管，在过去几年中而引起了越来越多的关注。超薄的厚度和没有表面悬挂键等特性使得用2D-TMDs制备场效应晶体管（FET）对短沟道效应免疫，具有良好的静电控制等。应用二维材料制备FET时，在金属和2D半导体之间的接触处形成的“结”的质量对于器件是至关重要的。传统金属-半导体结的界面处不可避免的化学无序通常导致严重的费米能级钉扎和不可控制的肖特基势垒。由于接触材料内存在表面悬挂键或者表面重建可能导致费米能级钉扎，使得通过选择具有所需功函数的合适电极金属来 ………………………………