Nature子刊：相变驱动增强多级纳米结构钒氧化物的赝电容能量存储

【引言】过渡金属氧化物(TMOs)是一类重要的赝电容材料，因其理论比电容高于碳基材料(5–15μF·cm–2 )约一至两个数量级，在超级电容器中有重要的应用前景。不同于仅具有双电层电容存储特性的碳材料，TMOs可通过阳离子在电极/电解液界面吸附/脱附(氧化还原型赝电容)或/和在界面层嵌入/脱出(嵌入型赝电容)过程中所伴随的金属离子可逆氧化还原反应来存储/释放电荷。以上两类法拉第存储机制可单独或共同地发生在TMOs材料中，具体则依赖于其晶体结构是否将阳离子存储限域于其表面或体内层间间隙/孔隙。然而，在电荷存储/释放过程中无论涉及哪类赝电容机制，电活性的TMOs都需要在充放电过程中发挥其双重作用，即在表面或层间间隙中容纳阳离子，并将电子从氧 ………………………………