段曦东段镶锋二维电子器件最新Nature子刊

01【导读】随着科学技术的进一步发展，人类进一步从信息化时代向智能化时代转变，其中人工智能，智能汽车等行业的发展均离不开半导体行业的进一步发展。然而，硅晶体管的微缩已然接近其物理极限，硅集成电路的发展急需开发新的二维材料。单层MoS2，具有原子级的厚度、无悬挂键的表面，在亚纳米厚度下仍然能表现出优异的电学特性，有效的避免短沟道效应，因此成为理想的二维半导体材料。工业化的应用对二维半导体的大规模制备及其性能也有了更高的要求，传统的光刻和金属化工艺也可以实现二维晶体管（FET）的晶圆集成，但是设备的差异性所引起的性能的差异性，有可能导致电子器件性能的数量级的降低，迫使人们寻求新的解决方法。而范德华异质集成技术，即将金属电极制备到牺牲基底上，再利用范德华力将电极拾取后转移组装 ………………………………