第三代半导体带来的机遇与挑战

来源：内容来自CEF中电展，谢谢。随着以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料（即第三代半导体材料）设备、制造工艺与器件物理的迅速发展，SiC和GaN基的电力电子器件逐渐成为功率半导体器件的重要发展方向。第三代半导体功率器件以更高的击穿电压、更高的热导率、更高的电子饱和漂移速率和更高的抗辐射能力开始在军事、航空航天等领域崭露头角。据悉于2017年10月25日在上海IC CHINA和中国电子展期间举办的“第二届电源半导体技术论坛”将重点探讨这一热点议题。本文将从第三代半导体材料性能应用、行业翘楚及市场并购、各国发展战略以及中国力量与思考多个角度浅析第三代半导体功率器件市场。01第三代半导体性能及应用半导体产业发展至今经历了三个阶 ………………………………