三星3纳米良率大幅拉高！

市场传出，三星电子（Samsung Electronics Co.）3 纳米良率大幅拉高，整体表现有机会追上台积电。知名爆料人Revegnus 22日透过社交平台X指出，三星3纳米良率一开始虽只有10%~20%，但最近拉升至三倍以上。虽然良率依旧低于使用现有「鳍式场效」（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）制程的台积电，但三星对第二代3纳米制程期望甚高，据传看好效能、功耗及面积（ Performance、Power、Area，PPA）前景（有谣言暗示可赶上台积电N3P）。Revegnus表示，消息人士透露，三星3纳米制程的能源效率（power efficiency）、逻辑区域（logic area）都比4纳米FinFET改善20%~30%。韩国媒体TheElec报道，三星共同CEO庆桂显（Kyung Kye-hyun）20日在年度股东大会预测，今年半导体营收有望重返2022年衰退前水准。庆桂显指出，存储器事业1月转亏为盈，今年恢复元气，除了高带宽存储器（HBM），开放性高 ………………………………