Science：反铁电热开关

南京师范大学刘晨晗副教授、哈尔滨工业大学（深圳）陈祖煌教授和东南大学陈云飞教授等带领的团队，在《科学》（Science）期刊上发表了题为“Low voltage-driven high-performance thermal switching in antiferroelectric PbZrO3 thin films”的论文。在国际上首次提出基于反铁电-铁电可逆相变实现热开关的功能，开发了一种低压驱动的长寿命、大开关比和超快响应的反铁电热开关原型器件，并揭示了利用电场诱导反铁电-铁电相变进而实现导热系数k大幅可逆调控的内在机理。nm节点集成电路的潜力与技术路径。随着5G、物联网和人工智能等国家重大战略需求领域的技术发展，电子器件的集成度越来越大，功率密度越来越高，对产品的散热要求越来越苛刻，因此发展高效的热管理材料成为保障电子器件效率、可靠性、安全性和耐用性的关键技术要点。热导率的可逆调控可动 ………………………………