胡志高&宫勇吉Small：基于大面积原子层SnS2场效应晶体管电学性能研究

 研究背景 过渡金属硫族化物（TMDs）是一种最常见的二维半导体材料，其化学式为MX2，其中由过渡金属（M=Mo、W、Re、Sn等）组成的原子平面夹在两个硫族原子平面（X=S、Se、Te）之间。二维TMDs具有独特的电子、光学、化学和热学性质，由于其在电子学、光学和催化等领域的潜在应用而引起了人们的极大关注。作为一种环保且丰富的半导体材料，二维SnS2在可持续清洁能源电催化、电子和光电等诸多领域有较丰富的应用。因此，高质量、大面积原子层SnS2的可控合成是实现其在催化和电子领域工业应用的第一步。而目前二维SnS2的制备主要是机械剥离（ME）和化学气相沉积法（CVD）。机械剥离制备TMDs缺乏对尺寸，均匀性和厚度的可控性，生产效率低，无法大规模合成，限制 ………………………………