3nm的大麻烦

来源：内本文由 公众号 半导体行业观察（ID：icbank）翻译自semiengineering，谢谢。随着芯片制造商开始在市场上推进10nm/7nm技术，供应商也在为下一代3nm晶体管类型的开发做准备。有些公司已经宣布了3nm工艺的具体计划，但向3nm节点的过渡预计将是一个漫长而坎坷的过程，充满了一系列技术和成本方面的挑战。例如，3nm芯片的设计成本可能会超过10亿美元之巨！此外，3nm也存在一些不确定因素，这些不确定因素可能在一夜之间改变一切。然而，这并未让任何厂商缺席。三星和GlobalFoundries分别宣布计划开发一种新的晶体管技术，称为nanosheet FET，即所谓3nm的可变栅宽度技术。例如，三星希望在2019年之前推出PDK（V0.01版），并计划在2021年投入生产。与此同时，台积电正在研发3 ………………………………