【日程更新】固态紫外器件技术分会：热点追踪固态紫外器件技术

第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高等优越性质。其中氮化物材料是第三代半导体材料中最引人瞩目的材料，尤其是GaN（氮化镓）基光电子器件在白光照明领域非常成功。紫外LED也是目前氮化物技术发展和第三代材料技术发展的主要趋势，随着环保及公共安全等领域的需求升级，固态紫外技术拥有广阔的应用前景。2020年11月23-25日，第十七届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2020）暨2020国际第三代半导体论坛（IFWS 2020）将在深圳会展中心举行。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办。南方科技大学与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。其中，“固 ………………………………