SMC产品 | 碳化硅MOSFET，高频高效，更加可靠

SMC始终致力于根据客户需求设计和生产半导体产品。我们打造的碳化硅MOSFET功率器件，包括S2M0120120K/D、S2M0160120K/D、S2M0080120N等多种型号，为通讯设备、工业应用、光伏、风能、汽车、家电、医疗等多个尖端领域提供源源不断的创新动力。在SMC，我们引领全球功率电子创新。▲图源网络S2M0120120K/D SIC MOSFETS2M0120120K/D是一款碳化硅MOSFET功率器件，采用TO-247-4封装 (S2M0120120K) 或 TO-247-3封装 (S2M0120120D)。该产品是一款高电压N型沟道增强型MOSFET，具有极低的总导通损耗，在极端温度下具有稳定的开关特性。S2M0120120K/D器件是特殊作业环境中能量敏感型高频应用的理想之选。▲S2M0120120K/D封装形式特点概述：正温度特性，易于并联典型低导通电阻，RDS(on)=133毫欧开关速度快，损耗低速度极快、坚固耐用的固有体二极管非亮锡电镀工艺▲S2M0120120K额定值和特性曲线典 ………………………………