武汉新芯三片晶圆堆叠技术研发成功

点击半导体行业资讯关注我哟☀ 覆盖20万半导体人的专业平台，分享最新半导体及泛半导体行业资讯，行业动态，前沿科技。武汉新芯传来消息，该公司基于其三维集成技术平台的三片晶圆堆叠技术研发成功。武汉新芯的晶圆级集成技术可将三片不同功能的晶圆（如逻辑、存储和传感器等）垂直键合，在不同晶圆金属层之间实现电性互连。与传统的2.5D芯片堆叠相比，晶圆级的三维集成技术能同时增加带宽、降低延时，并带来更高的性能与更低的功耗。据悉，武汉新芯自2012年开始布局三维集成技术，并于2013年成功将三维集成技术应用于背照式影像传感器，良率高达99%，随后陆续推出硅通孔(TSV)堆叠技术、混合键合(Hybrid Bonding)技术和多片晶圆堆叠技术。 武汉新芯技术 ………………………………