想要玩转氮化镓？纳芯微全场景GaN驱动IC解决方案来啦！

作为当下热门的第三代半导体技术，GaN在数据中心、光伏、储能、电动汽车等市场都有着广阔的应用场景。和传统的Si器件相比，GaN具有更高的开关频率与更小的开关损耗，但对驱动IC与驱动电路设计也提出了更高的要求。按照栅极特性差异，GaN分为常开的耗尽型（D-mode）和常关的增强型（E-mode）两种类型；按照应用场景差异，GaN需要隔离或非隔离、低边或自举、零伏或负压关断等多种驱动方式。针对不同类型的GaN和各种应用场景，纳芯微推出了一系列驱动IC解决方案，助力于充分发挥GaN器件的性能优势。CONTENT目录01 耗尽型（D-mode）GaN 驱动方案- D-mode GaN类型与特点- D-mode GaN驱动方案02 增强型（E-mode）GaN驱动方案- E-mode GaN类型与特点- E-mode GaN驱动方案  ◆ 分压式方案  ◆ 直驱式方案03 GaN功率芯片方案04 纳芯微GaN驱动方案选型指南01耗尽型（D-mode）GaN ………………………………