山东大学陶绪堂/冯华钰AOM：聚焦离子束（FIB）方法制备的β-Ga2O3增强型光电晶体管

摘要：本研究首次介绍了采用聚焦离子束（FIB）方法减薄β-Ga2O3微薄片，同时探讨了其厚度对光晶体管性能的影响。结果发现，当β-Ga2O3微薄片达到一定厚度时，光电晶体管从耗尽模式切换到增强模式，在没有栅极电压的情况下表现出极低的暗电流。使用这种方法制备的增强模式光电晶体管，在254nm波长、功率密度为8 μW/cm2光入射下，光暗电流比高达2.3×105，响应度6.3×104A/W，外部量子效率3.1×107%。此外，器件的上升时间和下降时间分别为43 ms、28 ms。该项研究利用FIB工艺，有效地克服了传统机械剥离法的可控性差、重复性低，以及等离子体蚀刻法产生的残留杂质等问题，为制造基于β-Ga2O3的具有高重复性和可控性的高性能、低维光电晶体管开辟了一条新的途径。关键词：β-Ga2O3日盲光电探测器，聚焦离子束技术，氧耗尽分类：光子；电子；器件创新点 ………………………………