碳化硅行业分析报告：新能源东风已至，碳化硅御风而起

（报告出品方/作者：东方证券，蒯剑，李庭旭）1、碳化硅性能优势突出主流半导体采用硅材料，射频、功率、光通信等特殊应用对半导体材料提出特殊需求。SiC 是制 作高温高频、大功率高压器件的理想材料之一，是由硅元素和碳元素组合而成的一种化合物半导 体材料。1.1、SiC性能优势显著同半导体材料硅（Si）相比，其禁带宽度是硅（Si）的 3 倍，击穿电压是其 8-10 倍，导热率是其 3-5 倍，电子饱和漂移速率是其 2-3 倍。SiC 在耐高压、耐高频、耐高温方面具有独特优势。耐高压方面，SiC 阻抗更低，禁带宽度更宽， 能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更好效率；耐高频方面，SiC 不存在电流 拖尾现象，能够提高元件的开关速度，是硅（Si）开关速度的 3-10 倍，从而适用于更高频率和更 快的开关速度；耐高温方面，SiC 拥有非常高的 ………………………………