3D NAND Flash技术将走向何方？

来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）编译自「eetimes.jp」，谢谢。“IMW 2020”论文集的表纸。（图片出自：International Memory Workshop论文集的第一页）2020年5月17日-20日举行了在线IMW（International Memory Workshop），笔者自2018年起已经连续三年参加IMW会议，而在线会议还是首次参加。今年的会议中，有关3D NAND的论文数量最多，因此，笔者就各家NAND型闪存（以下简称为：“NAND”）厂家的现状、未来的技术蓝图（Roadmap）展开论述。NAND的历史5月17日的会议（Tutorial）“PART I - 3D NAND”中，首位出场的是铠侠（原东芝存储半导体）的Noboru Shibata先生，他在主题为《History and Future of Multi-Level-Cell Technology in 2D and 3D Flash Memory》的演讲中，说明了NAND的历史，如下图1。图1：NAND存储密度增 ………………………………