【半导体激光器】VCSEL低温漂的奥秘

编者按VCSEL虽然在激光功率逊色于EEL，但是得益于短腔长的特点，温度对出射波长漂移的影响较小，这在温度变化范围较大的应用场景具有重要的优势1977年，日本东京工业大学的伊贺健一提出VCSEL的概念，VCSEL是垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser)的简称，是一种半导体激光器，其光学谐振腔与半导体芯片的衬底垂直，能够实现芯片表面的激光发射，这与一般用切开的独立芯片制程、激光由边缘射出的边射型激光（Edge Emitting Laser）有所不同。VCSEL主要由三部分组成，即激光工作物质、泵浦源和光学谐振腔。工作物质是发出激光的物质，但不是任何时刻都能发出激光，必须通过泵浦源对其进行激励，形成粒子数反转，发出激光，但这样得到的激光寿命很短，强度也不会太高，并且光波模式多，方向性很差。所以还必须经过顶部反射镜(Top ………………………………