南理工张胜利教授/曾海波教授团队ACS Mater. Lett.：Dirac态和高态密度抑制热带尾实现二维Ag2S低功耗电子器件

▲第一作者：陈楚尧共同通讯作者：周文瀚，曾海波，张胜利通讯单位：南京理工大学新型显示材料与器件工信部重点实验室论文DOI：10.1021/acsmaterialslett.4c00296 （点击文末「阅读原文」直达链接）  全文速览近日，南京理工大学新型显示材料与器件工信部重点实验室曾海波教授和张胜利教授团队在ACS Materials Letters发表研究论文，提出二维Ag2S具有导带边特殊的高态密度尖峰和导带内的狄拉克点，能够过滤注入载流子热尾，突破室温下60 mV dec-1的亚阈值摆幅热力学极限，实现超低功耗MOSFET器件的潜力。  背景介绍功耗问题已经成为制约现代半导体工业进一步繁荣的关键问题。根据《国际器件和系统路线图（IRDS）》，具有陡峭亚阈值摆幅的器件被认为是潜在的解决方案。二维半导体具有原子级厚度和无悬挂键表面的优势，具有实现更陡峭的亚阈值摆幅 ………………………………