进展 | 超低暗电流高性能近红外硅基光电探测器研究

以光为信息载体实现通信的光通信技术，凭借优异的速度传输性能和强大的信息容量成为现代社会最重要的技术之一。其中硅光子学，与成熟的互补金属氧化物半导体（CMOS）制造工艺兼容，并且伴随着各类有源、无源的硅基光子器件的实现逐渐成为短程光通信中最具前景的技术。执行光电信号转换的光电探测器是光电链路的基本组成部分之一，虽然硅基光电探测器广泛应用于可见光谱范围（0.4-0.7μm），但通讯窗口1.31和1.55μm的近红外光子能量并不足以克服Si带隙（1.12 eV）诱导光生电流，因此如何实现硅基探测器1.1μm以上的近红外探测仍然是发展单片光电集成技术所面临的难题。近年来，硅基肖特基二极管基于独特的内光电发射机制而备受关注，它能在室温下探测到能 ………………………………