反铁磁体，Science！

特别说明：本文由米测技术中心原创撰写，旨在分享相关科研知识。因学识有限，难免有所疏漏和错误，请读者批判性阅读，也恳请大方之家批评指正。原创丨彤心未泯（米测 技术中心）编辑丨风云磁斯格明子是拓扑磁性纹理，作为存储器和逻辑器件中的纳米级信息位具有广阔的前景。尽管室温铁磁斯格明子及其电流感应操纵已被证明，但它们的速度仅限于每秒100米左右。此外，它们的动力学受到斯格明子霍尔效应的干扰，斯格明子霍尔效应是由斯格明子拓扑电荷引起的横向于电流方向的运动。基于此，阿尔卑斯大学Olivier Boulle等人证明了补偿合成反铁磁体中的斯格明子可以通过电流沿电流方向以高达每秒900米的速度移动。这可以通过净拓扑电荷的抵消导致斯格明子霍尔效应消失来解释。该结果为实现基于轨道中斯格明子的快速操纵的逻辑和存储 ………………………………