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进展 | 铁电半导体中体Rashba效应的三维极限

中科院物理所  · 公众号  · 物理  · 2021-01-22 12:33
对于对称性破缺的体系,在表面/界面处存在电势梯度,电子自旋-轨道耦合(SOC)导致能带劈裂,产生一对自旋—动量锁定、自旋手性相反的能带结构,这种效应称为Rashba效应。Rashba效应在非易失性存储元件、逻辑计算和半导体自旋电子学中有非常广泛的应用前景,例如,大的Rashba劈裂可以提高自旋流-电荷流的转化效率。以往的研究主要集中在半导体或金属异质结的界面或二维电子气体系的Rashba效应,但是它们的Rashba系数相对较小。近年来人们发现一些铁电半导体具有巨大的三维Rashba效应,其Rashba系数比异质结或二维电子气的高两个数量级,但是到目前为止,其尺寸效应尚不清楚。中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心磁学国家重点实验室M04课题组利用 ………………………………

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