AEM: 氮化硼纳米片夹层设计制备高能量密度聚合物电介质

聚合物，如聚偏二氟乙烯（PVDF），由于具有高介电系数和易于加工在高能量密度电容器领域引起了广泛的瞩目。但是，这些材料的放电能量密度受到其较差的击穿强度和电阻率的限制。有鉴于此，上海交通大学黄兴溢教授团队与清华大学李琦教授团队合作，使用简单的逐层溶液流延工艺制备了沿面内方向排列的氮化硼纳米夹层，进而制备出了含氮化硼纳米层的PVDF复合膜。本文要点要点1. 得益于复合膜的结构和材料组成，复合膜可以显著抑制漏电流，从而实现高击穿强度和优异的能量密度。紧凑且连续的中间层可以大大减轻局部电场畸变并阻止电树的传播。要点2. 实验结果显示，相较于普通的PVDF膜，复合膜的击穿强度和能量密度为原始膜的136%和275%。 Yingke Zhu, et al. H ………………………………