氮化镓|日本防务省资助富士通公司研究金刚石和碳化硅衬底散热技术，将显著提高GaN HEMT性能

12月6日至9日美国加利福尼亚州的IEEE半导体接口专家会议（SISC2017）上，日本富士通公司及其子公司富士通实验室公司（Fujitsu Laboratories Ltd）介绍了据称是第一个室温下实现单晶金刚石和碳化硅（SiC）衬底焊接，关键是这两者都是硬质材料，但具有不同的热膨胀系数。 使用这种技术散热可以高效率地冷却高功率氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），从而使功率放大器在高功率水平下稳定工作。传统GaN HEMT——SiC衬底散热近年来，高频GaN-HEMT功率放大器已被广泛用于雷达和无线通信等远程无线电领域，预计还将用于天气雷达观测局部暴雨，或者即将出现的5G毫米波段移动通信协议。对于这些使用微波到毫米波频段雷达或无线通信系统，通过提高用于传输的GaN-HEMT ………………………………