射频器件三代半导体技术历程

随着无线通信技术的飞速发展，作为其核心的射频有源器件也在不断地演进和革新。从第一代半导体到第三代半导体，每一次技术的飞跃都极大地推动了无线通信系统的进步。一、第一代半导体：Si与Ge的奠基1947年，第一块固态晶体管在美国贝尔实验室的诞生标志着半导体技术的新篇章。第一代半导体以Si（硅）和Ge（锗）为主，其显著特点是造价成本低且工艺相对成熟。然而，它们受限于较低的击穿电压和供电电压，导致难以实现高功率输出，因此多用于低偏压电路中。二、第二代半导体：GaAs与InP的崛起随着技术的进步，第二代半导体以GaAs（砷化镓）和InP（磷化铟）为代表，开始崭露头角。1976年，Pengelly等人基于GaAs MESFET（金属半导体场效应晶体管）工艺实现了单片微波集成电路（MMIC），为大功率功放设计提供了新的方向。第二代半导体在提升 ………………………………