清华刘碧录团队Angew Chem Int Edit ：用于生长高质量二维半导体的重凝硫前驱体

清华新闻网1月10日电 以过渡金属硫族化合物（TMDCs）为代表的二维半导体具有原子级的厚度、独特的能带结构和优异的电学光学性质，是下一代电子、光电子器件的重要材料体系。采用化学气相沉积法可以制备出大尺寸单晶二维TMDCs，但所得材料通常具有数量较多且不均匀分布的晶格缺陷（硫空位），影响了二维TMDCs的电学和光学性质。因此，制备具有高质量和高均匀性的二维半导体是该领域的一大难题。减少生长过程中硫空位的形成，优化硫源供给是关键。在化学气相沉积法中，传统硫族元素单质粉末被广泛使用，但在生长过程中易出现硫源供给浓度不均匀、不稳定等问题，导致材料在生长过程中产生大量局域分布的硫空位。近日，清华大学深圳国际研究生院刘碧录教授团队发展了一种采用“熔化-重凝”的硫单质前驱体（即重凝硫前驱体）的化 ………………………………