华中科技大学胡玥团队最新Advanced Science：深度依赖性后处理用于降低可印刷介观钙钛矿太阳能电池电压损失

       由多孔碳膜覆盖的双层金属氧化物组成的可印刷介观钙钛矿太阳能电池因其产业化优势而备受关注。然而，三重支架的数十微米厚度导致钙钛矿结晶和电荷载流子分离并移动到电极的挑战，这限制了此类器件的开路电压。鉴于此，2023年1月22日华中科技大学胡玥团队于Advanced Science刊发深度依赖性后处理用于降低可印刷介观钙钛矿太阳能电池电压损失的研究成果，证明了一种依赖于深度的后处理策略可以协同钝化缺陷并调整界面能带排列。选择两种噻吩衍生物，即3-氯噻吩(3-CT)和3-噻吩乙二胺(3-TEA)进行后处理。能量色散X射线光谱证明3-CT均匀分布在整个三重支架中并有效钝化大块钙钛矿的缺陷，而3-TEA与碳层中松散的钙钛矿快速反应形成二维钙钛矿，形成钙钛矿/碳界面处的II型能带排列。结果，缺陷辅助复合受到抑制，界面能带受到调节，开路 ………………………………