关于相变存储器的一些探讨

来源：本文由公众号 半导体行业观察 （ID：icbank）翻译自「thememoryguy」，作者Jim Handy&Ron Neale，谢谢。 本文主要探讨对未来商用PCM（相变存储器）阵列中写入/擦除（w / e）耐久性的影响因素。当今，Intel/Micron公司的生产的3D XPoint存储器，就是以相变存储器为基础的，然而，在目前的技术发展阶段，其使用的耐久性不如预期的好，本文将探讨造成这种差异的原因。PCM元素分离和耐久性2016年，由IBM领导的研究团队就实现了PCM w / e次数超过2 x 10E12周期的世界纪录（ALD-based Confined PCM with a Metallic Liner Toward Unlimited Endurance, Proc IEDM 2016）。截至目前，市场上可买到的PCM存储器阵列提供的W / e耐久性与之相比，低了约6个数量级。下表来自于另一篇关于此问题的博客文章。下图总结了 ………………………………