SONY-CIS工艺|通过局部连接实现高全阱容量和低噪声特性

引言我们在之前论文中介绍了ONSEMI、SONY、OV、SAMUNG等各大Sensor厂商的CIS产品以及Sensor架构等，今天我们将借Sony发布的工艺改进的技术论文，介绍工艺的提升对于Pixel性能的影响。该论文向我们展示了具有高全阱容量（FWC）和低随机噪声（RN）的2层晶体管像素堆叠CMOS图像传感器（CIS）的开发。通过在3D顺序集成工艺中在不同的硅（Si）层上制造PD和像素晶体管并引入单个垂直栅极（SVG）来增加光电二极管（PD）体积，从而实现了高FWC。引入了连接多个浮动扩散区（FD）和像素FinFET的掩埋亚局部连接（BSC），以提高转换增益和随机噪声（RN）。我们展示了一个pixel size为0.6µm像素，2层堆叠，RN为0.99，FWC为8000e-，动态范围为78.1dB。1. Introduction确保像素收缩的高动态范围（Dynamic Range）对于图像捕获非常重要。像素收缩使得难以确保高FWC，这是由于像素晶体管的 ………………………………