英特尔、三星、台积电展示3D堆叠晶体管--CFET

CFET 是一种单一结构，堆叠了 CMOS 逻辑所需的两种类型的晶体管。在本周于旧金山举行的IEEE 国际电子器件会议上，英特尔、三星和台积电展示了他们在晶体管的下一代发展方面取得的进展。芯片公司正在从 2011 年以来使用的FinFET器件结构过渡到纳米片或环栅晶体管。这些名称反映了晶体管的基本结构。在 FinFET 中，栅极控制流过垂直硅鳍的电流。在纳米片器件中，该鳍被切割成一组带，每个带都被栅极包围。CFET 实质上是将较高的硅带堆叠起来，一半用于一个器件，一半用于另一个器件。英特尔工程师在 2022 年 12 月的《IEEE Spectrum》杂志上解释说，这种器件在单一集成工艺中将两种类型的晶体管--nFET 和 pFET 叠加在一起。专家估计 CFET 将于七到十年后投入商业应用，但在准备就绪之前仍有大量工作要做。英特尔的反相器英特尔是三者中最早展示 CFET ………………………………