SK hynix的3D NAND技术正在迅速赶上

来源：内容来自半导体行业观察综合，谢谢。作为全球最主要的NAND闪存公司之一，SK海力士是最后一家开发3D NAND闪存技术的公司，但公司迅速赶上了潮流，因此能够在2018年将其技术能力提升到与顶级集团相同的水平。在2019年夏季，他们更是达到了可以被称为最先进的水平，并成为3D NAND闪存开发的推动力。 SK hynix的3D NAND闪存开发的特点之一是陆续引入了新的基本技术。Tech Insights 的Choe在一次演讲中展示了一张由SK hynix开发的3D NAND闪存的硅芯片上切出的存储单元阵列的照片，以及用电子显微镜观察的横截面结构。　从2015年到2019年，SK Hynix开发了四种类型的存储单元阵列。2015年至2016年开发的首个存储单元阵列采用类似于东芝（现为Kioxia）开发的称为“ SP-BiCS”的单元阵 ………………………………