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专栏名称: 英飞凌官微
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IPAC直播间 | 英飞凌CoolSiC™ 碳化硅直播季 - 迎接碳化硅2000V时代

英飞凌官微  · 公众号  ·  · 2024-05-07 19:08
今年3月,英飞凌推出了市面上第一款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件,全面开启碳化硅2000V的时代。最新的2000V CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装,爬电距离为14mm,电气间隙为5.4mm。作为英飞凌的创新产品,其在直流母线电压表现抢眼,能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。👇点击下方视频👇了解英飞凌2000V CoolSiC™ MOSFET更多精彩内容尽在CoolSiC™碳化硅直播季!英飞凌IPAC“CoolSiC™碳化硅直播季”去年一经上线,备受好评!5月14日 14:00 今年的碳化硅季正式回归,首期话题将为您揭开CoolSiC™ MOSFET 2000V的神秘面纱:增强型M1H CoolSiC™ MOSFET技术带来哪些产品优势?2000V CoolSiC™ 碳化硅分立器件和模块产品各有什么特点?如何应对2000V CoolSiC™ MOSFET的驱动挑战?2000V CoolSiC™ MOSFET在应用设计时需要关注哪些设计难点?👇🏻立即扫码预约直播👇🏻 ………………………………

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