半导体技术天地 振兴国产半导体产业！3月26日消息，据媒体透露，有消息人士称，三星电子的3纳米Gate-All-Around（GAA）工艺的良率已经实现了三倍的提高，从先前的10%至20%上升至30%至60%之间，然而，这仍然落后于竞争对手台积电。除此之外，台积电还宣布今年将3纳米晶圆的产量扩大到每月约10万片，这使得三星几乎没有赶上代工竞争对手台积电的机会。报道指出，三星电子在其第二代3纳米GAA工艺上投入了更多精力，并在功耗、性能和逻辑区域方面进行了改进，且据说良率与台积电的N3P节点相当。然而，这并没有为三星吸引更多客户。一份报告指出，要重新赢得像高通等先前的客户认可，三星需要将良率提高到70%。而这些企业在可预见的未来将继续选择台积电。本月初，韩国媒体报道称，三星电子已经通知客户和合作伙伴，自今年年初起，将第二
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