IGBT的载流子限制效应

IGBT的载流子限制效应”IGBT的工艺节点，也就是业内常说的工艺pitch，已经缩小到了1.6um，甚至1.2um。但是目前对于关注静态损耗的场合，仍然可以做到2.4um平台达到1.6um平台差不多的效果。或者说，使用同一工艺平台，不同设计所表现出来的静态损耗水平仍然有明显的差别。这其中很重要的一个原因是载流子限制效应。正面沟道注入电子，背面注入空穴。两个动作都是实现中间漂移区载流子浓度的提升。这是IGBT电导调制效应的根本。但是还有一个降低载流子浓度的效应，就是通过P阱和正面接触会“漏“掉到达正面的空穴。最终这三个作用所形成的载流子浓度和其分布特点决定了IGBT的损耗水平，以及部分动态表现。所以，除了提升沟道注入和背面注入之外，限制通过P阱流失的空穴，对提升整体电导率有重要作用。而且与前两条相比，这一措施并不会 ………………………………