范德瓦尔斯二维磁性材料交换偏置效应的低电压、非易失调控

▲第一作者：吴清梅，张莹莹     通讯作者：崔璋璋，傅正平，陆亚林  通讯单位：中国科学技术大学  论文DOI：10.1002/adfm.202214007     近日，中国科学技术大学陆亚林教授团队在Fe3GeTe2/MgO结构中，实现了利用超低门电压对其磁性的高效非易失调控。01研究背景对材料磁性的调控是自旋电子学的重要课题，在诸多调控方式中，电场因其可控、可靠以及能耗低的特点成为主要的调控方式。在电场的作用下，在电介质/磁性层界面处可能产生应力、电荷掺杂、轨道重组、电化学等效应，这些效应能够对磁性层进行有效调控。较弱的层间耦合为范德瓦尔斯（vdW）磁性材料提供了一个全新的可调节维度。最近的实验研究发现范德瓦尔斯材料的磁性可以通过多种门电压进行调控，但这些调控方式大多是易失的，并且需要至少几伏的电压，实现低电压、非易 ………………………………