麻省理工孔静/台积电李连忠最新Nature！

▲第一作者：Pin-Chun Shen, Cong Su, Yuxuan Lin, Ang-Sheng Chou通讯作者：Pin-Chun Shen，Jing Kong，Lain-Jong Li通讯单位：Massachusetts Institute of Technology (MIT)，台积电DOI：https://doi.org/10.1038/s41586-021-03472-9背景介绍在探索下一代潜在半导体材料及其器件的过程中不仅需要寻找合适的沟道材料，也需要致力于如何降低器件的接触电阻。原子级厚度的二维半导体材料具有实现高性能电子器件的巨大潜力，但同时，由于金属诱导的间隙态（MIGS）的存在，金属-半导体界面处的势垒限制了二维半导体晶体管的进一步优化，从根本上导致了高接触电阻和较差的电流传递能力。金属-半导体界面的接触电阻一直是悬而未解的关键问题，严重阻碍了电子器件的性能和集成度的提升。基于此Jing Kong和Lain-Jong Li ………………………………