理论性能远超SiC？GaN功率二极管的发展历程

电子发烧友网报道（文/梁浩斌）氮化镓功率器件的大规模应用，是从2018年开始的。自手机快充功能在市场上迅速普及，经过数年的发展，氮化镓HEMT器件早已被广泛应用到快速充电器等应用中。当然在此之前，氮化镓在半导体领域还是主要被用于光电领域以及射频领域。比如蓝、绿、白光LED、蓝紫光激光器等，射频领域的大功率功放管、PA、MMIC等，氮化镓都是重要材料之一。不过如果聚焦功率领域，可以发现氮化镓与碳化硅不同之处在于，碳化硅市场上有晶体管和二极管两种类型的器件，而氮化镓目前的功率产品主要是HEMT，几乎没有氮化镓二极管的产品出现。而一些大功率的电源适配器中，往往会采用氮化镓 HMET配合碳化硅SBD的组合。GaN SBD发展历程但实际上，关于GaN SBD，甚至是GaN MOSFET等器件的开发业界也一直有研究，GaN SBD更是早已有厂商推出相 ………………………………