2019年存储产业发生了哪些大事？？

来源：芯思想与2018年的并购、建厂、扩产、投产相比，到目前为止，今年的存储器领域并未出现大规模的并购建厂，而是更加注重技术的升级、以及新产品的研发。 2019年长鑫19纳米DRAM正式量产，17纳米工艺重大突破；长江存储64层3D NAND量产，128层3D NAND取得重大突破。2020年中国大陆存储进入丰年。 下面一起回顾一下2019年存储产业领域发生的那些大事件。 一、国内篇 2019年2月20日，东南大学国家ASIC工程中心时龙兴教授、杨军教授团队在ISSCC上发表了题为《Sandwich-RAM: An Energy-Efficient In-Memory BWN Architecture with Pulse-Width Modulation》的论文，这是ISSCC上第一次录用中国大陆存储芯片领域相关论文，是首次深度学习处理器领域入选的论文。 1、合肥长鑫CXMT 长鑫存储首次介绍建 ………………………………