5nm工艺翻车？先进制程极限在哪里？

从苹果在2020年9月的iPad Pro上率先采用5nm工艺的A14 Bionic，随后华为、高通、三星也相继推出5nm工艺的旗舰级SoC。WikiChips分析后估计，台积电5nm的栅极间距为48nm、金属间距30nm、鳍片间距25-26nm，单元高度约为180nm。从而推算出台积电5nm的晶体管密度为1.713亿个每平方毫米，比初代7nm每平方毫米9120万个增加88%，台积电官方宣传的数字是84%。第一款出货的5nm芯片，是苹果2020年10月份发布并上市的A14仿生芯片，这款SoC的晶体管数量达到118亿个，比A13多大约40%。而且使6核CPU性能提升40%，4核图形GPU性能提升30%，功耗降低30%。第二款华为麒麟9000则集成153亿个晶体管，8核CPU、24核GPU和NPU AI处理器，官方称CPU性能提升25%，GPU提升50%。按照摩尔定律，芯片的晶体管数量每隔18-24个月翻一番 ………………………………