苏州大学揭建胜团队Adv. Funct. Mater.：通过阻挡电子注入来改善p型有机场效应晶体管的理想性

【引言】自1986年第一个基于有机半导体材料的场效应晶体管被报道以来，有机场效应晶体管（OFET）在化学、物理、材料以及微电子领域都得到了研究人员的广泛关注。在器件应用方面，OFET被认为是未来有机柔性集成器件的基本构成单元，可广泛应用于柔性智能芯片、低成本射频标签、有机有源矩阵显示等领域。在基础研究方面，OFET是研究有机单晶半导体电学特性以及有机电子学的基础器件。OFET器件迁移率已经从最初10-5 cm2 V-1 s-1发展到目前超过30 cm2 V-1 s-1，且OFET作为一种器件测试结构也被用来评估有机半导体迁移率，其场效应迁移率通常是由电流-电压特性推导得出，并假设该电流-电压关系遵从传统FET中肖克利渐进沟道近似（GCA）模型。然而，在实际器件测试中 ………………………………