氮化镓｜德国ALLOS公司对传统硅基氮化镓外延工艺提出质疑

近日，在ICNS 2017大会中，德国ALLOS公司的创始人兼CTO Atsushi Nishikawa博士提出了对于硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延工艺的三种新看法。三种传统的观念首先，在传统的工艺中，人们存在一些传统的观念。在制作工艺中，C元素的掺杂是不可避免的；缓冲层的夹层往往是漏电流的原因；正确的生长设备才可以生产高品质的器件。三种新的看法由于在晶体生长过程中常常会有晶体杂质的引入，因此GaN外延片生长过程中就会导致GaN层的分离程度远远低于理论值。为了解决这一难题，GaN外延片制造商常常会采用C元素掺杂来达到分离GaN的目的。但是传统的C元素以及其他元素掺杂会引起一系列的副作用。Nishikawa博士的方法是采用较高质量的晶圆以及相对厚的GaN层，这种方法不仅可 ………………………………