芯片设计中电迁移和IR压降的挑战和技术

来源：eletimes随着芯片设计中的更小的节点技术的推广普及，线宽随着晶体管尺寸变得更薄。这使得在16nm及以下的技术节点上，导线电阻更占主导地位。这种增加的电阻和金属线宽度的减小引入了许多电迁移和IR压降的问题。这两个问题在缩短电子设备的寿命方面起着重要作用，是任何技术节点较低的电子设备功能失效的原因。在本文中，我们将讨论电迁移和IR下降的问题，以及防止这些问题在电子设备中发生的技术。紧凑型电子设备的技术趋势和需求要求采用现代集成电路设计。电子设备制造商正在成倍地降低金属互连线的宽度。因此，互连线的横截面积正在减小。此外，由于功能集成和设备互连的不断增加，芯片上会有更多的连线。因此，，在小于16nm的节点上工作 ………………………………