英特尔预计2023年推出5纳米GAA制程，拼台积电3纳米

来源：内容来自「TechNews科技新报」，原作者：Atkinson，谢谢。此前处理器龙头厂商英特尔(Intel)的财务长George Davis在公开场合表示，目前除了10纳米产能正在加速之外，英特尔还将恢复制程技术领先的关键部分寄望在未来更先进制程的发展上，包括英特尔将在2021年推出7纳米制程技术，并且将在7纳米制程的基础上发展出5纳米制程。对于英特尔5纳米制程的发展，现在有外媒表示，在这个节点上英特尔将会放弃FinFET电晶体，转向GAA电晶体。根据外媒《Profesionalreview》的报导表示，随着制程技术的升级，芯片的电晶体制作也面临着瓶颈。英特尔最早在22纳米的节点上首先使用了FinFET电晶体技术，当时叫做3D电晶体，就是将原本平面的电晶体，变成立体的FinFET鳍式场 ………………………………