三星将美国工厂从4nm改为2nm！

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国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！     不拘中国、 放眼世界 ！ 关注 世界半导体论坛 ↓↓↓ 6 月 18 日消息，据报道，三星电子正在考虑将其美国得克萨斯州泰勒工厂的工艺制程从 4 纳米改为 2 纳米，以加强与台积电美国厂和英特尔的竞争。 消息人士称，三星电子最快将于第三季度做出最终决定。 三星电子泰勒工厂投资于 2021 年，次年开始建设，计划于 2024 年底开始分阶段运营。 三星电子 DS 部门前负责人 Lee Bong-hyun 曾表示，“到 2024 年底，我们将开始从这里出货 4 纳米产品”。 相对地，英特尔计划今年在亚利桑那州和俄亥俄州工厂量产 Intel 20A 和 18A 工艺。此外，台积电正在美国建设三座晶圆厂，计划 2025 年上半年投产 4nm 制程，2028 年投产 2/3nm 制程，2030 年投产 2nm 以下制程。 在 4 月举行的第一季度业绩发布会上，三星电子表 ………………………………