官宣！中芯国际“N+1”工艺成功流片！

文章来源：芯榜10月11日，中国领先的一站式IP和定制芯片领军企业芯动科技（INNOSILICON）官宣：已完成了全球首个基于中芯国际FinFET  N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过，这是过去数月工艺迭代和共同努力后获得的里程碑成果。“N+1”是中芯国际对其第二代先进工艺的代号，其与现有的14nm工艺相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%，也被称为“国产版”的7nm芯片技术。芯动科技持续聚焦全球先进工艺芯片IP和定制，拥有自主全系列高带宽高性能计算IP技术，多次在先进工艺上填补国内空白，核心技术支持了全球客户数十亿颗高端SOC量产。自2019年始，芯动在中芯N+1工艺尚待成熟的情况下，团队全程攻 ………………………………