镓未来G1N65系列氮化镓开关管在大功率电源场景应用案例汇总

前言 随着氮化镓技术的发展和普及，氮化镓器件高频、高效率的特性可以有效降低损耗、减少发热，以提升整机性能。越来越多的的厂商陆续开始在高功率电源中采用氮化镓芯片。镓未来作为行业领先的半导体企业，提供650V~900V氮化镓(GaN-on-Si)功率器件，其产品具有易于使用（兼容Si MOSFET驱动）、可靠性高、性能参数领先等优点，可提供PQFN、DFN、TOLL、TOLT、TO-252等贴片封装以及TO-220、TO-247-3L、TO-247-4L等插件封装全系列产品。目前镓未来旗下多款氮化镓芯片被联想、大疆、安克等多家厂商采用。究竟是何种魅力让镓未来芯片受到大厂青睐，下文中将为您详细介绍。文中产品案例不分先后，按英文首字母顺序排列。芯片简介 镓未来G1N65R035TB-N  镓未来G1N65R035TB-N，是一颗耐压650V，峰值耐压800V的氮化镓开关管，其导阻仅为35mΩ，Vth 4V，Vgs ±20V，采用TO-247 ………………………………